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詳述u盤(pán)芯片MLC、SLC和TLC究竟哪個(gè)好？

2013-08-09 08:42:19?????

u盤(pán)芯片里有SLC、TLC和MLC區(qū)分，那么它們都代表什么呢？含義是什么？今天u啟動(dòng)小編就跟大家詳細(xì)介紹下MLC、SLC和TLC的含義。

什么是SLC？什么是MLC？什么是TLC？MLC、SLC、TLC三代閃存的特性和差異又怎樣？

以下是SLC、MLC、TLC三代閃存的詳細(xì)介紹和壽命差異比較：

【SLC芯片詳細(xì)介紹】

“SLC”英文全稱(chēng)“Single-Level Cell”（即單層式儲(chǔ)存），又名“1bit/cell”，主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，然后透過(guò)源極，即可將所儲(chǔ)存的電荷消除，通過(guò)這樣的方式，便可儲(chǔ)存1個(gè)信息單元，這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取，不過(guò)此技術(shù)受限于“Silicon efficiency”的問(wèn)題，必須要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術(shù)。

SLC特性：運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度快，使用壽命長(zhǎng)，價(jià)格也很貴，大概是“MLC”價(jià)格的三倍以上，大約十萬(wàn)次寫(xiě)入（擦寫(xiě)）壽命。

【MLC芯片詳細(xì)介紹】

“MLC”英文全稱(chēng)“Multi-Level Cell”（即多層式儲(chǔ)存），又名“2bit/cell”，主要由東芝、Renesas、三星使用。英特爾（Intel）在1997年9月最先開(kāi)發(fā)出MLC，它作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)FloatingGate（閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（Level）的電荷，通過(guò)內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫(xiě)。MLC通過(guò)使用大量的電壓等級(jí)，每個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值，因此，MLC架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度。

MLC特性：運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度一般、使用壽命一般，購(gòu)買(mǎi)價(jià)格也一般，大約3000到10000次的寫(xiě)入（擦寫(xiě)）壽命。

【TLC芯片詳細(xì)介紹】

“TLC”英文全稱(chēng)“Triple-Level Cell”，又名“3bit/cell”，也有Flash廠(chǎng)商稱(chēng)它為“8LC”，TLC芯片雖然儲(chǔ)存容量變大，成本低廉許多，但因?yàn)樾芤泊蟠蛘劭?，因此僅能用在低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

TLC特性：它的運(yùn)轉(zhuǎn)和反應(yīng)速度最慢，使用的壽命也最短，而且價(jià)格也最便宜，大約500次的寫(xiě)入（擦寫(xiě)）壽命，到目前位置，還沒(méi)有哪個(gè)廠(chǎng)家能夠做到1000次寫(xiě)入（擦寫(xiě)）的。

目前，安德旺科技生產(chǎn)的指紋U盤(pán)產(chǎn)品中采用的閃存芯片都是三星MLC中的原裝A級(jí)芯片。讀寫(xiě)速度：采用H2testw v1.4測(cè)試，三星MLC寫(xiě)入速度: 4.28-5.59 MByte/s，讀取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC寫(xiě)入速度: 8.5MByte/s，讀取速度: 14.3MByte/s。

u啟動(dòng)簡(jiǎn)單說(shuō)明：閃存的壽命指的是寫(xiě)入（擦寫(xiě)）的次數(shù)，而不是讀出的次數(shù)，因?yàn)樽x取對(duì)u盤(pán)芯片的壽命影響不大。

SLC、MLC和TLC三代閃存芯片壽命差異比較：

SLC閃存利用正、負(fù)兩種電荷一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息，約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。

MLC閃存利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息，約一萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命，SLC-MLC（容量大了一倍，壽命縮短為1/10）。

TLC閃存利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息，約500-1000次擦寫(xiě)壽命，MLC-TLC（容量大了1/2倍，壽命縮短為1/20）。

【SLC和MLC的優(yōu)勢(shì)比較】

鑒于目前u盤(pán)市場(chǎng)主要以SLC芯片和MLC芯片儲(chǔ)存為主，就讓我們多了解下SLC和MLC儲(chǔ)存吧。

SLC的架構(gòu)是0和1兩個(gè)值，而MLC架構(gòu)可以一次存儲(chǔ)4個(gè)值以上，所以MLC架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高，而且還可以利用老舊的生產(chǎn)程備來(lái)提高產(chǎn)品的容量，無(wú)須額外投資生產(chǎn)設(shè)備，擁有成本與品質(zhì)優(yōu)勢(shì)。

MLC和SLC相比較，MLC生產(chǎn)成本要低，且容量大。要是經(jīng)過(guò)改進(jìn)的話(huà)，MLC的讀寫(xiě)性能還會(huì)進(jìn)一步地提升！

【SLC和MLC的缺點(diǎn)比較】

MLC架構(gòu)有不少缺點(diǎn)，首當(dāng)其沖的是使用壽命比SLC要短，MLC架構(gòu)只能夠承受1萬(wàn)次的擦寫(xiě)，而SLC架構(gòu)卻可以承受10萬(wàn)次的擦寫(xiě)。

其次就是存取速度慢，在當(dāng)前的技術(shù)條件下，MLC芯片理論上存取速度只能達(dá)到6MB左右，而SLC架構(gòu)的存取速度要比MLC架構(gòu)的存取速度快三倍以上呢！

還有就是MLC的電流消耗比SLC高，如果在同等使用條件下MLC跟SLC相比的話(huà)，MLC的電流消耗要比SLC的電流消耗多出百分之十五左右。

總結(jié)：雖然MLC跟SLC相比，MLC缺點(diǎn)要多，但在單顆芯片容量方面，當(dāng)前MLC還是占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的。因?yàn)镸LC架構(gòu)和成本都占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，能夠滿(mǎn)足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場(chǎng)需求。

現(xiàn)在相信大家都了解了SLC、TLC和MLC的區(qū)別了吧？感謝大家對(duì)u啟動(dòng)的支持，我們u啟動(dòng)小編會(huì)相繼寫(xiě)出更多實(shí)用的文章教程，讓我們一起攜手成長(zhǎng)！

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